Справочник MOSFET. IRFS41N15D

 

IRFS41N15D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS41N15D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS41N15D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  international rectifier
irfs41n15d.pdfpdf_icon

IRFS41N15D

PD- 93804AIRFB41N15D IRFS41N15DSMPS MOSFET IRFSL41N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.045 41ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand Current

 ..2. Size:337K  international rectifier
irfb41n15dpbf irfib41n15dpbf irfs41n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFS41N15D

PD - 94927AIRFB41N15DPbFIRFIB41N15DPbF IRFS41N15DPbF IRFSL41N15DPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max IDBenefits150V 0.045 41Al Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avala

 ..3. Size:708K  infineon
irfb41n15dpbf irfib41n15dpbf irfs41n15dpbf irfsl41n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFS41N15D

IRFB41N15DPbF IRFIB41N15DPbF IRFS41N15DPbF IRFSL41N15DPbF HEXFET Power MOSFET Applications High frequency DC-DC converters VDSS 150V Benefits RDS(on) max 0.045 Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ID 41A Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. D D Note AN1001) Fully Characteri

 ..4. Size:257K  inchange semiconductor
irfs41n15d.pdfpdf_icon

IRFS41N15D

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS41N15DFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BSC12DN20NS3G | AP4511GED-HF

 

 
Back to Top

 


 
.