Справочник MOSFET. IRFSL3806

 

IRFSL3806 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFSL3806
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0158 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IRFSL3806

 

 

IRFSL3806 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  international rectifier
 irfb3806pbf irfs3806pbf irfsl3806pbf.pdf

IRFSL3806 IRFSL3806

PD - 97310IRFB3806PbFIRFS3806PbFApplicationsIRFSL3806PbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power SwitchingDVDSS60Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ. 12.6mGmax. 15.8mBenefitsID 43ASl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully C

 ..2. Size:564K  infineon
 irfb3806pbf irfs3806pbf irfsl3806pbf.pdf

IRFSL3806 IRFSL3806

PD - 97310IRFB3806PbFIRFS3806PbFApplicationsIRFSL3806PbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power SwitchingDVDSS60Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ. 12.6mGmax. 15.8mBenefitsID 43ASl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully C

 7.1. Size:715K  international rectifier
 irfsl38n20dpbf.pdf

IRFSL3806 IRFSL3806

PD - 97001APROVISIONALIRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbFSMPS MOSFET IRFSL38N20DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High frequency DC-DC converters Key Parametersl Plasma Display PanelVDS200 Vl Lead-FreeVDS (Avalanche) min.260 VRDS(ON) max @ 10V m54BenefitsTJ max175 Cl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance Inc

 7.2. Size:583K  infineon
 irfb38n20dpbf irfs38n20dpbf irfsl38n20dpbf.pdf

IRFSL3806 IRFSL3806

IRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbF HEXFET Power MOSFET Key Parameters Applications High frequency DC-DC converters VDS 200 V Plasma Display Panel VDS(Avalanche) min. 260 VRDS(on) max @ 10V 54 mBenefits TJ max 175 C Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS D D D

 7.3. Size:256K  inchange semiconductor
 irfsl38n20d.pdf

IRFSL3806 IRFSL3806

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS38N20DFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top