Справочник MOSFET. IRFU3518

 

IRFU3518 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFU3518
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для IRFU3518

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU3518 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  international rectifier
irfr3518pbf irfu3518pbf.pdfpdf_icon

IRFU3518

PD - 95510AIRFR3518PbF IRFU3518PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High frequency DC-DC convertersVDSS RDS(on) max IDl Lead-Free 80V 29mW 30ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand Current

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
irfu3518.pdfpdf_icon

IRFU3518

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3518FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

 8.1. Size:332K  international rectifier
irfr3505pbf irfu3505pbf.pdfpdf_icon

IRFU3518

PD - 95511BIRFR3505PbFIRFU3505PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 0.013G Lead-FreeID = 30ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processingtechniques to achieve extremely low on-resis

 8.2. Size:331K  international rectifier
irfr3504zpbf irfu3504zpbf.pdfpdf_icon

IRFU3518

PD - 95521BIRFR3504ZPbFIRFU3504ZPbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 9.0m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-re

Другие MOSFET... IRFU2407 , IRFU24N15D , IRFU2607Z , IRFU2905Z , IRFU3410 , IRFU3411 , IRFU3504Z , IRFU3505 , AO4407 , IRFU3607 , IRFU3704Z , IRFU3707Z , IRFU3708 , IRFU3709 , IRFU3709Z , IRFU3710Z , IRFU3711Z .

History: RFM15N15 | 2SK2080-01 | NTD20N03L27G | RU3568L | MMN45N03 | IGO60R070D1 | APT50M65B2LL

 

 
Back to Top

 


 
.