IRFU3518 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFU3518
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для IRFU3518
IRFU3518 Datasheet (PDF)
irfr3518pbf irfu3518pbf.pdf

PD - 95510AIRFR3518PbF IRFU3518PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High frequency DC-DC convertersVDSS RDS(on) max IDl Lead-Free 80V 29mW 30ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand Current
irfu3518.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3518FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
irfr3505pbf irfu3505pbf.pdf

PD - 95511BIRFR3505PbFIRFU3505PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 0.013G Lead-FreeID = 30ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processingtechniques to achieve extremely low on-resis
irfr3504zpbf irfu3504zpbf.pdf

PD - 95521BIRFR3504ZPbFIRFU3504ZPbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 9.0m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-re
Другие MOSFET... IRFU2407 , IRFU24N15D , IRFU2607Z , IRFU2905Z , IRFU3410 , IRFU3411 , IRFU3504Z , IRFU3505 , AO4407 , IRFU3607 , IRFU3704Z , IRFU3707Z , IRFU3708 , IRFU3709 , IRFU3709Z , IRFU3710Z , IRFU3711Z .
History: RFM15N15 | 2SK2080-01 | NTD20N03L27G | RU3568L | MMN45N03 | IGO60R070D1 | APT50M65B2LL
History: RFM15N15 | 2SK2080-01 | NTD20N03L27G | RU3568L | MMN45N03 | IGO60R070D1 | APT50M65B2LL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet