IRFU3710Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFU3710Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для IRFU3710Z
IRFU3710Z Datasheet (PDF)
irfu3710z.pdf
PD - 94740AIRFR3710ZAUTOMOTIVE MOSFETIRFU3710ZHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) = 18ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 42ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFETPower MOSFET utilizes the lat
irfr3710zpbf irfu3710zpbf irfu3710z-701pbf.pdf
PD - 95513DIRFR3710ZPbFIRFU3710ZPbFIRFU3710Z-701PbFFeaturesl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 100Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 18ml Multiple Package OptionsGl Lead-FreeID = 42ADescription SThis HEXFET Power MOSFET utilizes thelatest pro
irfu3710z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3710ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
irfr3711zpbf irfu3711zpbf.pdf
PD - 95074AIRFR3711ZPbFIRFU3711ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Isolated DC-DC20V 5.7m 18nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate ImpedanceD-Pak I-PakI
Другие MOSFET... IRFU3505 , IRFU3518 , IRFU3607 , IRFU3704Z , IRFU3707Z , IRFU3708 , IRFU3709 , IRFU3709Z , AO4407 , IRFU3711Z , IRFU3806 , IRFU4104 , IRFU4105Z , IRFU4615 , IRFU4620 , IRFU48Z , IRFU9N20D .
History: HY3210M | CRTS084NE6N
History: HY3210M | CRTS084NE6N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM406MNQ | AGM406MNA | AGM406MBQ | AGM406MBP | AGM406AP | AGM405Q | AGM405MNA | AGM405MBP | AGM405F | AGM405DG | AGM405D | AGM405AP2 | AGM405AP1 | AGM405A | AGM404Q | AGM404D
Popular searches
a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt






