IRFU3710Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFU3710Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: IPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFU3710Z Datasheet (PDF)
irfu3710z.pdf

PD - 94740AIRFR3710ZAUTOMOTIVE MOSFETIRFU3710ZHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) = 18ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 42ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFETPower MOSFET utilizes the lat
irfr3710zpbf irfu3710zpbf irfu3710z-701pbf.pdf

PD - 95513DIRFR3710ZPbFIRFU3710ZPbFIRFU3710Z-701PbFFeaturesl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 100Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 18ml Multiple Package OptionsGl Lead-FreeID = 42ADescription SThis HEXFET Power MOSFET utilizes thelatest pro
irfu3710z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3710ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
irfr3711zpbf irfu3711zpbf.pdf

PD - 95074AIRFR3711ZPbFIRFU3711ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Isolated DC-DC20V 5.7m 18nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate ImpedanceD-Pak I-PakI
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FDC3535 | 2SK3012 | NDT6N70 | FQD1N50TM | 8070 | IPD50R280CE | SWN4N70K2
History: FDC3535 | 2SK3012 | NDT6N70 | FQD1N50TM | 8070 | IPD50R280CE | SWN4N70K2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt