IRFU4105Z datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRFU4105Z 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0245 Ohm
Тип корпуса: IPAK
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для IRFU4105Z
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFU4105Z даташит
irfr4105zpbf irfu4105zpbf.pdf
PD - 95374B IRFR4105ZPbF IRFU4105ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 24.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free ID = 30A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-re
irfu4105z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU4105Z FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U
auirfr4105z auirfu4105z.pdf
AUIRFR4105Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4105Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 24.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 30A Automotive Qualified * D D Description Specifically designed
irfr4105pbf irfu4105pbf.pdf
PD - 95550A IRFR4105PbF IRFU4105PbF l Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET l Surface Mount (IRFR4105) l Straight Lead (IRFU4105) D VDSS = 55V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free RDS(on) = 0.045 G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier ID = 27A S utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-r
Другие IGBT... IRFU3707Z, IRFU3708, IRFU3709, IRFU3709Z, IRFU3710Z, IRFU3711Z, IRFU3806, IRFU4104, IRF1407, IRFU4615, IRFU4620, IRFU48Z, IRFU9N20D, IRFZ44V, IRFZ44VL, IRFZ44VS, IRFZ44VZ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r



