IRL3705ZS datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRL3705ZS 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 240 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRL3705ZS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL3705ZS даташит
irl3705zpbf irl3705zspbf irl3705zlpbf.pdf
PD - 95579A IRL3705ZPbF IRL3705ZSPbF Features IRL3705ZLPbF l Logic Level HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 8.0m G l Lead-Free Description ID = 75A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniqu
irl3705zs.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705ZS FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol
auirl3705zstrl.pdf
PD - 96345 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUIRL3705ZL Features HEXFET Power MOSFET l Logic Level V(BR)DSS 55V D l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 6.5m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max. 8.0m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 86A l Lead-Free, RoHS Compliant S l Automotiv
auirl3705z auirl3705zs auirl3705zl.pdf
AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705ZL HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Logic Level Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.5m Ultra Low On-Resistance max. 8.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 86A Fast Switching ID (Package Limited) 75A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Le
Другие IGBT... IRL1404, IRL1404L, IRL1404S, IRL1404Z, IRL1404ZL, IRL1404ZS, IRL3705Z, IRL3705ZL, SI2302, IRL3713, IRL3713S, IRL3714Z, IRL3714ZS, IRL3715Z, IRL3715ZL, IRL3715ZS, IRL3803V
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IRFZ48VS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW | BC8205 | BC3415 | BC3407 | BC3401 | BC3400 | BC2301 | BC1012W
Popular searches
8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet



