IRL8113L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL8113L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRL8113L Datasheet (PDF)
irl8113lpbf irl8113spbf irl8113pbf.pdf

PD - 95582IRL8113PbFIRL8113SPbFIRL8113LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor PowerVDSS RDS(on) maxQg (Typ.)l Lead-Free30V 6.0m 23nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220AB D2Pak TO-262IRL8113 IRL8113S IRL8113LAbsolute Maximum
irl8113s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL8113SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6m@V = 10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Provides the designer with an extremely efficient andreliable device for use in a wide variety of applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
irl8113.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL8113IIRL8113FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R
irl8114pbf.pdf

IRL8114PbF HEXFET Power MOSFET Application Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS 30V D Low Voltage Power Tools RDS(on) typ. 3.5m max 4.5mGBenefits ID (Silicon Limited) 120A Low RDS(on) at 4.5V VGS S Low Gate Charge ID (Package Limited) 90A Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Lead-Free
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FDN339AN | PSMN011-30YL | RT1E060XN | SI1402DH | 2N4338 | SM2F05NSU | UF3205L-TQ2-T
History: FDN339AN | PSMN011-30YL | RT1E060XN | SI1402DH | 2N4338 | SM2F05NSU | UF3205L-TQ2-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement