IRLR2905Z - описание и поиск аналогов

 

IRLR2905Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLR2905Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для IRLR2905Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR2905Z даташит

 ..1. Size:328K  international rectifier
irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdfpdf_icon

IRLR2905Z

PD - 95774B IRLR2905ZPbF IRLU2905ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Logic Level D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) = 13.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extrem

 ..2. Size:340K  international rectifier
irlr2905zpbf irlu2905zpbf.pdfpdf_icon

IRLR2905Z

PD - 95774B IRLR2905ZPbF IRLU2905ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Logic Level D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) = 13.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extrem

 ..3. Size:242K  inchange semiconductor
irlr2905z.pdfpdf_icon

IRLR2905Z

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR2905Z, IIRLR2905Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 13.5m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V G

 0.1. Size:273K  international rectifier
auirlr2905ztr.pdfpdf_icon

IRLR2905Z

PD - 97583 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2905Z Features HEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process Technology D V(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 13.5m Fast Switching G ID (Silicon Limited) 60A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant S ID (Package Limited) 42A Automot

Другие MOSFET... IRLML2030 , IRLML2060 , IRLML6244 , IRLML6246 , IRLML6344 , IRLML6346 , IRLP3034 , IRLR024Z , IRLB4132 , IRLR2908 , IRLR3105 , IRLR3110Z , IRLR3114Z , IRLR3636 , IRLR3705Z , IRLR3714Z , IRLR3715Z .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.