IRLS4030-7P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRLS4030-7P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRLS4030-7P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLS4030-7P даташит
irls4030-7ppbf.pdf
PD -97371 IRLS4030-7PPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.2m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching G max. 3.9m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID 190A S Benefits l Optimized for Logic Level Drive D l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS l
auirls4030-7p.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS4030-7P HEXFET Power MOSFET Features Optimized for Logic Level Drive VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.2m Ultra Low On-Resistance Logic Level Gate Drive max. 3.9m 175 C Operating Temperature ID 190A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compl
irls4030pbf irlsl4030pbf.pdf
PD - 97370 IRLS4030PbF IRLSL4030PbF Applications HEXFET Power MOSFET l DC Motor Drive D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 100V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. l High Speed Power Switching 3.4m l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 4.3m ID 180A S Benefits l Optimized for Logic Level Drive l Very Low RDS(ON) at 4.
auirls4030 auirlsl4030.pdf
AUIRLS4030 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLSL4030 Features HEXFET Power MOSFET Optimized for Logic Level Drive Advanced Process Technology D VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.4m Logic Level Gate Drive G 175 C Operating Temperature max 4.3m Fast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID
Другие IGBT... IRLR8726, IRLR8729, IRLR8743, IRLS3034, IRLS3034-7P, IRLS3036, IRLS3036-7P, IRLS4030, 4N60, IRLSL3034, IRLSL3036, IRLSL4030, IRLTS6342, IRLU024Z, IRLU2905Z, IRLU2908, IRLU3105
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: APM4230K | AGM304A | AGM150P10S | AO4832
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080




