Справочник MOSFET. IRLU3110Z

 

IRLU3110Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLU3110Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для IRLU3110Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLU3110Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  international rectifier
 irlr3110zpbf irlu3110zpbf.pdf pdf_icon

IRLU3110Z

PD - 97175BIRLR3110ZPbFIRLU3110ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 100V Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGRDS(on) = 14mDescriptionSpecifically designed for Industrial applications,this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to

 ..2. Size:317K  international rectifier
 irlu3110zpbf irlr3110zpbf.pdf pdf_icon

IRLU3110Z

PD - 97175BIRLR3110ZPbFIRLU3110ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 100V Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGRDS(on) = 14mDescriptionSpecifically designed for Industrial applications,this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to

 ..3. Size:261K  inchange semiconductor
 irlu3110z.pdf pdf_icon

IRLU3110Z

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3110ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 0.1. Size:714K  infineon
 auirlr3110z auirlu3110z.pdf pdf_icon

IRLU3110Z

AUIRLR3110Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3110Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 11m Logic Level Gate Drive max. 14m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 63A Fast Switching ID (Package Limited) 42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLSL3034 , IRLSL3036 , IRLSL4030 , IRLTS6342 , IRLU024Z , IRLU2905Z , IRLU2908 , IRLU3105 , AO3401 , IRLU3114Z , IRLU3636 , IRLU3705Z , IRLU3714Z , IRLU3715Z , IRLU3717 , IRLU3802 , IRLU3915 .

History: AMA430N | NCE1570

 

 
Back to Top

 


 
.