Справочник MOSFET. AUIRF1324S-7P

 

AUIRF1324S-7P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF1324S-7P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 429 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 240 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF1324S-7P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  infineon
 auirf1324s-7p.pdf pdf_icon

AUIRF1324S-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324S-7P Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 0.8m Ultra Low On-Resistance max. 175C Operating Temperature 1.0m Fast Switching ID (Silicon Limited) 429A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 240A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description

 4.1. Size:472K  international rectifier
 auirf1324strl.pdf pdf_icon

AUIRF1324S-7P

PD - 97483AUIRF1324SAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1324LHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process Technology DVDSS24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT RatingRDS(on) typ.1.3m 175C Operating TemperatureGID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Package Limited)195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua

 4.2. Size:461K  infineon
 auirf1324s auirf1324l.pdf pdf_icon

AUIRF1324S-7P

AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.3m Ultra Low On-Resistance max. 1.65m Dynamic dV/dT Rating 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 340A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-

 5.1. Size:240K  international rectifier
 auirf1324wl.pdf pdf_icon

AUIRF1324S-7P

PD - 97676AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1324WLHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS24Vl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.1.16ml 50% Lower Lead Resistance max. 1.30ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited)382A l Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID (Package Limited)240A l Lead-Free,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQU10N20CTU | AP2306CGN-HF | HAT2267H | KRF7503 | SM6129NSU | LRK7002WT1G | SFF80N20N

 

 
Back to Top

 


 
.