AUIRF2807. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AUIRF2807
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для AUIRF2807
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUIRF2807 даташит
auirf2807.pdf
PD - 96384A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2807 HEXFET Power MOSFET Features V(BR)DSS 75V l Advanced Planar Technology D l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 13m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching G ID(Silicon Limited) 82A l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 75A l Lead-Free, RoHS Compliant l Au
auirf2804wl.pdf
PD - 97739 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2804WL HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS l Advanced Process Technology 40V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 1.8m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 295A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 240A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Description
auirf2805l auirf2805s.pdf
PD - 96383A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2805S AUIRF2805L HEXFET Power MOSFET Features D Advanced Planar Technology V(BR)DSS 55V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 4.7m 175 C Operating Temperature G Fast Switching Fully Avalanche Rated S ID 135A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description Sp
auirf2805.pdf
PD - 97690A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2805 Features l Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET l Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature D V(BR)DSS 55V l Fast Switching RDS(on) typ. 3.9m l Fully Avalanche Rated max 4.7m l Repetitive Avalanche Allowed G up to Tjmax ID (Silicon Limited) 175A l Lead-Free, RoHS Compliant S ID (Package Limited) 75A l Autom
Другие MOSFET... AUIRF1405ZS , AUIRF2804 , AUIRF2804L , AUIRF2804S , AUIRF2804S-7P , AUIRF2805 , AUIRF2805L , AUIRF2805S , IRF9540 , AUIRF2903Z , AUIRF2903ZL , AUIRF2903ZS , AUIRF2907Z , AUIRF2907ZS-7P , AUIRF3004WL , AUIRF3007 , AUIRF3205 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet







