AUIRF2807 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

AUIRF2807 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AUIRF2807

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 160 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для AUIRF2807

AUIRF2807 Datasheet (PDF)

2.1. auirf2804strr.pdf Size:281K _update-mosfet

AUTOMOTIVE GRADE PD -96290A AUIRF2804 AUIRF2804S AUIRF2804L Features HEXFET® Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 40V D l 175°C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.5m Ω l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 2.0m Ω G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 270A l Automotive Qualified * S ID

2.2. auirf2804wl.pdf Size:214K _update-mosfet

PD - 97739 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2804WL HEXFET® Power MOSFET Features D V(BR)DSS l Advanced Process Technology 40V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 1.8m l 175°C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 295A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 240A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Description

2.3. auirf2804strr.pdf Size:281K _international_rectifier