AUIRFR3504Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFR3504Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для AUIRFR3504Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR3504Z даташит

 ..1. Size:664K  infineon
 auirfr3504z.pdf pdf_icon

AUIRFR3504Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR3504Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 9.0m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 77A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D Description

 0.1. Size:268K  international rectifier
 auirfr3504ztr.pdf pdf_icon

AUIRFR3504Z

PD - 97492 AUIRFR3504Z AUTOMOTIVE GRADE HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D V(BR)DSS 40V Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 9.0m Fast Switching G ID (Silicon Limited) 77A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 42A S Automotive Qualified * Description D Specifical

 4.1. Size:228K  international rectifier
 auirfr3504.pdf pdf_icon

AUIRFR3504Z

PD - 97687A AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR3504 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance D V(BR)DSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. l Fast Switching 7.8m l Fully Avalanche Rated max 9.2m G l Repetitive Avalanche Allowed ID (Silicon Limited) 87A up to Tjmax S ID (Package Limited) l Lead-Free, RoHS Compliant 56A l Automotiv

 7.1. Size:485K  international rectifier
 auirfr3607 auirfu3607.pdf pdf_icon

AUIRFR3504Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR3607 AUIRFU3607 Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS 75V Fast Switching RDS(on) typ. 7.34m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant max. 9.0m Automotive Qualified * G ID (Silicon Limited) 80A S ID (Package Limited) 56A Description Specifically des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFR1018E, AUIRFR120Z, AUIRFR2307Z, AUIRFR2405, AUIRFR2407, AUIRFR2607Z, AUIRFR2905Z, AUIRFR3504, STP75NF75, AUIRFR3607, AUIRFR3710Z, AUIRFR3806, AUIRFR4104, AUIRFR4105, AUIRFR4105Z, AUIRFR4615, AUIRFR4620