AUIRFS3306. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFS3306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AUIRFS3306

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS3306 даташит

 ..1. Size:681K  infineon
 auirfs3306.pdf pdf_icon

AUIRFS3306

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3306 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.3m Ultra Low On-Resistance max. 175 C Operating Temperature 4.2m Fast Switching ID (Silicon Limited) 160A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 5.1. Size:707K  infineon
 auirfs3307z auirfsl3307z.pdf pdf_icon

AUIRFS3306

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

 7.1. Size:716K  infineon
 auirfs3206 auirfsl3206.pdf pdf_icon

AUIRFS3306

AUIRFS3206 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3206 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.4m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tj

 7.2. Size:694K  infineon
 auirfs3107-7p.pdf pdf_icon

AUIRFS3306

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.1m Ultra Low On-Resistance max. 2.6m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 260A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFS3004, AUIRFS3004-7P, AUIRFS3006, AUIRFS3006-7P, AUIRFS3107, AUIRFS3107-7P, AUIRFS3206, AUIRFS3207Z, STP80NF70, AUIRFS3307Z, AUIRFS3607, AUIRFS3806, AUIRFS4010, AUIRFS4010-7P, AUIRFS4115, AUIRFS4115-7P, AUIRFS4127