Справочник MOSFET. AUIRFS4127

 

AUIRFS4127 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFS4127
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS4127 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  infineon
auirfs4127.pdfpdf_icon

AUIRFS4127

AUIRFS4127 AUTOMOTIVE GRADE Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS 200V Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 18.6mFast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 22m Lead-Free, RoHS Compliant SID 72A Automotive Qualified * Description D Speci

 6.1. Size:680K  infineon
auirfs4115-7p.pdfpdf_icon

AUIRFS4127

AUIRFS4115-7P AUTOMOTIVE GRADE HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 150V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 10m Dynamic dV/dT Rating max. 11.8m 175C Operating Temperature ID 105A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Descrip

 6.2. Size:722K  infineon
auirfs4115 auirfsl4115.pdfpdf_icon

AUIRFS4127

AUIRFS4115 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL4115 HEXFET Power MOSFET VDSS 150V Features Advanced Process Technology RDS(on) typ. 10.3m Ultra Low On-Resistance max. 12.1m 175C Operating Temperature Fast Switching ID 99A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D Automotive Qualified * Description S S

 7.1. Size:340K  international rectifier
auirfs4610trl.pdfpdf_icon

AUIRFS4127

PD - 96325AUTOMOTIVE GRADEAUIRFB4610AUIRFS4610Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceV(BR)DSS100V Enhanced dV/dT and dI/dT capabilityRDS(on) typ.11m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 14mG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID73A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified *DDescripti

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AON6788 | NTTFS6H850NL | STP5NB40 | SI68H11 | SSP7150N | S80N08RP | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.