AUIRLR2703. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRLR2703

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для AUIRLR2703

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR2703 даташит

 ..1. Size:448K  infineon
 auirlr2703.pdf pdf_icon

AUIRLR2703

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2703 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Logic Level Gate Drive VDSS 30V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 45m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 23A Fast Switching Fully Avalanche Rated ID (Package Limited) 20A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjm

 0.1. Size:276K  international rectifier
 auirlr2703tr.pdf pdf_icon

AUIRLR2703

PD - 97620 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2703 Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Low On-Resistance D Dynamic dV/dT Rating V(BR)DSS 30V 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 45m Fast Switching G ID (Silicon Limited) Fully Avalanche Rated 23A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 20

 7.1. Size:238K  international rectifier
 auirlr2905tr.pdf pdf_icon

AUIRLR2703

AUIRLR2905 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU2905 Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D V(BR)DSS Low On-Resistance 55V Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 27m 175 C Operating Temperature G Fast Switching ID 42A S Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant Autom

 7.2. Size:230K  international rectifier
 auirlr2908.pdf pdf_icon

AUIRLR2703

PD - 97734 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2908 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology D V(BR)DSS l Logic-Level Gate Drive 80V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 22.5m l 175 C Operating Temperature max 28m l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 39A l Repetitive Avalanche Allowed S ID (Package Limited) 30A up to Tjmax l Lead-Free,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRLI2505, AUIRLL014N, AUIRLL024N, AUIRLL2705, AUIRLR014N, AUIRLR024N, AUIRLR024Z, AUIRLR120N, IRF9540, AUIRLR2905, AUIRLR2905Z, AUIRLR2908, AUIRLR3105, AUIRLR3110Z, AUIRLR3114Z, AUIRLR3410, AUIRLR3636