AUIRLR3410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRLR3410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для AUIRLR3410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR3410 даташит

 ..1. Size:555K  infineon
 auirlr3410.pdf pdf_icon

AUIRLR3410

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3410 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 100V Logic Level Gate Drive Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 105m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID 17A Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D

 0.1. Size:246K  international rectifier
 auirlr3410trl.pdf pdf_icon

AUIRLR3410

PD - 97491 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3410 Features Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating D V(BR)DSS 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 105m G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to ID 17A S Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifica

 7.1. Size:228K  international rectifier
 auirlr3915.pdf pdf_icon

AUIRLR3410

PD - 97743 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3915 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Logic-Level Gate Drive D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 12m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max 14m G l Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 61A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax ID (Package Limited) 30A l Lead-Free, R

 7.2. Size:287K  international rectifier
 auirlr3705ztr.pdf pdf_icon

AUIRLR3410

PD - 97611 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3705Z Features HEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process Technology D V(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 8.0m Fast Switching G ID (Silicon Limited) 89A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant S ID (Package Limited) 42A Automotiv

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRLR120N, AUIRLR2703, AUIRLR2905, AUIRLR2905Z, AUIRLR2908, AUIRLR3105, AUIRLR3110Z, AUIRLR3114Z, IRLB4132, AUIRLR3636, AUIRLR3705Z, AUIRLR3714, AUIRLR3915, AUIRLS3034, AUIRLS3034-7P, AUIRLS3036, AUIRLS3036-7P