Справочник MOSFET. AUIRLS3036

 

AUIRLS3036 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLS3036
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AUIRLS3036

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLS3036 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  international rectifier
auirls3036.pdfpdf_icon

AUIRLS3036

AUTOMOTIVE GRADEAUIRLS3036HEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyDVDSS 60V Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.1.9m Logic Level Gate Drive Dynamic dv/dt Ratingmax. 2.4mG 175C Operating TemperatureID (Silicon Limited) 270A Fast SwitchingID (Package Limited)S 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant

 0.1. Size:688K  infineon
auirls3036-7p.pdfpdf_icon

AUIRLS3036

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3036-7P HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.5m Logic Level Gate Drive max. Dynamic dv/dt Rating 1.9m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 300A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to T

 5.1. Size:680K  infineon
auirls3034.pdfpdf_icon

AUIRLS3036

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3034 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.4m Logic Level Gate Drive max. 1.7m Dynamic dv/dt Rating ID (Silicon Limited) 343A 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

 5.2. Size:699K  infineon
auirls3034-7p.pdfpdf_icon

AUIRLS3036

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3034-7P HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.0m Logic Level Gate Drive max. Dynamic dv/dt Rating 1.4m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 380A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to T

Другие MOSFET... AUIRLR3114Z , AUIRLR3410 , AUIRLR3636 , AUIRLR3705Z , AUIRLR3714 , AUIRLR3915 , AUIRLS3034 , AUIRLS3034-7P , IRFB3607 , AUIRLS3036-7P , AUIRLS4030 , AUIRLS4030-7P , AUIRLU024N , AUIRLU3110Z , AUIRLU3114Z , AUIRLZ44Z , IRF5803 .

History: UT6898G-S08-R | HM40N20 | RUS100N02 | INK0310AP1 | STD25N10F7 | IRHM7264SE | SFB077N100AC2

 

 
Back to Top

 


 
.