Справочник MOSFET. AUIRLS4030-7P

 

AUIRLS4030-7P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLS4030-7P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AUIRLS4030-7P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLS4030-7P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:686K  infineon
auirls4030-7p.pdfpdf_icon

AUIRLS4030-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS4030-7P HEXFET Power MOSFET Features Optimized for Logic Level Drive VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.2m Ultra Low On-Resistance Logic Level Gate Drive max. 3.9m 175C Operating Temperature ID 190A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compl

 4.1. Size:501K  infineon
auirls4030 auirlsl4030.pdfpdf_icon

AUIRLS4030-7P

AUIRLS4030 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLSL4030 Features HEXFET Power MOSFET Optimized for Logic Level Drive Advanced Process Technology D VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.4m Logic Level Gate Drive G175C Operating Temperature max 4.3mFast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID

 8.1. Size:264K  international rectifier
auirlsl4030.pdfpdf_icon

AUIRLS4030-7P

PD - 96406BAUTOMOTIVE GRADEAUIRLS4030FeaturesAUIRLSL4030l Optimized for Logic Level DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS100Vl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.l Fast Switching 3.4ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG max. 4.3ml Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified *ID 180A

 8.2. Size:238K  international rectifier
auirls3114z.pdfpdf_icon

AUIRLS4030-7P

PD - 96412AUTOMOTIVE GRADEAUIRLS3114ZHEXFET Power MOSFETFeaturesVDSS40VDl Advanced Process TechnologyRDS(on) typ.l Ultra Low On-Resistance 3.8ml Enhanced dV/dT and dI/dT capability max. 4.9ml 175C Operating TemperatureGl Fast Switching ID (Silicon Limited) 122Al Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID (Wirebond Limited)56A l Lead-Free, RoHS

Другие MOSFET... AUIRLR3705Z , AUIRLR3714 , AUIRLR3915 , AUIRLS3034 , AUIRLS3034-7P , AUIRLS3036 , AUIRLS3036-7P , AUIRLS4030 , 4N60 , AUIRLU024N , AUIRLU3110Z , AUIRLU3114Z , AUIRLZ44Z , IRF5803 , IRF5803D2 , IRF5805 , IRF5806 .

History: NVB082N65S3F | SFF80N20PDB | IRFS3306PBF | IPU25CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.