Справочник MOSFET. AUIRLU024N

 

AUIRLU024N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLU024N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для AUIRLU024N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLU024N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  international rectifier
 auirlr024n auirlu024n.pdf pdf_icon

AUIRLU024N

AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

 5.1. Size:260K  international rectifier
 auirlu024z.pdf pdf_icon

AUIRLU024N

PD - 97753AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR024ZAUIRLU024ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process Technology DV(BR)DSS55V Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.46m 175C Operating TemperatureG Fast Switching max. 58m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID16A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DD

 5.2. Size:717K  infineon
 auirlr024z auirlu024z.pdf pdf_icon

AUIRLU024N

AUIRLR024Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024Z Features HEXFET Power MOSFET Logic Level VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 46m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 58m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 16A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D De

 8.1. Size:714K  infineon
 auirlr3110z auirlu3110z.pdf pdf_icon

AUIRLU024N

AUIRLR3110Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3110Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 11m Logic Level Gate Drive max. 14m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 63A Fast Switching ID (Package Limited) 42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AUIRLR3714 , AUIRLR3915 , AUIRLS3034 , AUIRLS3034-7P , AUIRLS3036 , AUIRLS3036-7P , AUIRLS4030 , AUIRLS4030-7P , 4435 , AUIRLU3110Z , AUIRLU3114Z , AUIRLZ44Z , IRF5803 , IRF5803D2 , IRF5805 , IRF5806 , IRF6216 .

History: IRF3706S | PSMN7R5-30MLD | PSU04N65B | 2SJ213

 

 
Back to Top

 


 
.