Справочник MOSFET. AUIRLU3110Z

 

AUIRLU3110Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLU3110Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLU3110Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  infineon
 auirlr3110z auirlu3110z.pdf pdf_icon

AUIRLU3110Z

AUIRLR3110Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3110Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 11m Logic Level Gate Drive max. 14m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 63A Fast Switching ID (Package Limited) 42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

 5.1. Size:706K  infineon
 auirlr3114z auirlu3114z.pdf pdf_icon

AUIRLU3110Z

AUIRLR3114Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3114Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 4.9m 175C Operating Temperature max. 6.5m Fast Switching ID (Silicon Limited) 130A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 42A L

 8.1. Size:490K  international rectifier
 auirlr024n auirlu024n.pdf pdf_icon

AUIRLU3110Z

AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

 8.2. Size:260K  international rectifier
 auirlu024z.pdf pdf_icon

AUIRLU3110Z

PD - 97753AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR024ZAUIRLU024ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process Technology DV(BR)DSS55V Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.46m 175C Operating TemperatureG Fast Switching max. 58m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID16A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3298 | IRLML6344GT | HIRF830F | GSM501DEA | WST6401 | BS107AG | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.