Справочник MOSFET. IRF7704

 

IRF7704 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7704
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 360 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7704 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  international rectifier
 irf7704.pdf pdf_icon

IRF7704

PD- 94160IRF7704HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET-40V 46@VGS = -10V -4.6A Very Small SOIC Package74@VGS = -4.5V -3.7A Low Profile (

 ..2. Size:244K  international rectifier
 irf7704pbf.pdf pdf_icon

IRF7704

PD- 96025AIRF7704PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-40V 46@VGS = -10V -4.6Al Very Small SOIC Package74@VGS = -4.5V -3.7Al Low Profile (

 0.1. Size:245K  international rectifier
 irf7704gpbf.pdf pdf_icon

IRF7704

PD-96149IRF7704GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-40V 46@VGS = -10V -4.6Al Very Small SOIC Package74@VGS = -4.5V -3.7Al Low Profile (

 8.1. Size:141K  international rectifier
 irf7701.pdf pdf_icon

IRF7704

PD - 93940IRF7701HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package-12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7420 , IRF7424 , IRF7425 , IRF7700G , IRF7701G , IRF7702 , IRF7702G , IRF7703G , MMD60R360PRH , IRF7704G , IRF7705 , IRF7705G , IRF7706 , IRF7706G , IRF7726 , IRF9310 , IRF9317 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.