IRF9335 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF9335
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
Тип корпуса: SO8
IRF9335 Datasheet (PDF)
irf9335pbf.pdf
PD - 96311AIRF9335PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VS 18 DRDS(on) max 59 mS 27 D(@VGS = -10V)S 3 6 DRDS(on) max 110 m(@VGS = -4.5V)G 4 5 DQg (typical)9.1 nCSO-8ID -5.4 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsIndustry-S
irf9335trpbf.pdf
IRF9335TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5D
irf9333pbf.pdf
PD - 97523IRF9333PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VRDS(on) max 19.4 m(@VGS = -10V) RDS(on) max 32.5 m(@VGS = -4.5V)Qg (typical)14 nCSO-8ID -9.2 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesIndustry-Standard SO8 Package Multi-Vendor CompatibilityRoHS Complian
irf9332pbf.pdf
PD - 97561IRF9332PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VRDS(on) max 17.5 m(@VGS = -10V)RDS(on) max 28.1 m(@VGS = -4.5V)Qg (typical)14 nCSO-8ID -9.8 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsIndustry-Standard SO-8 Package results in M
irf9333pbf.pdf
PD - 97523IRF9333PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VRDS(on) max 19.4 m(@VGS = -10V) RDS(on) max 32.5 m(@VGS = -4.5V)Qg (typical)14 nCSO-8ID -9.2 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesIndustry-Standard SO8 Package Multi-Vendor CompatibilityRoHS Complian
irf9332tr.pdf
IRF9332TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918