IRLML2244 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLML2244
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
Тип корпуса: SOT23
IRLML2244 Datasheet (PDF)
irlml2244trpbf.pdf
PD - 97631IRLML2244TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-20 VVGS Max 12 VG 1RDS(on) max 54 m 3 D(@VGS = -4.5V)RDS(on) max 2S95 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -2.5V)IRLML2244TRPbFApplication(s) System/Load SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 54m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatib
irlml2244trpbf.pdf
PD - 97631IRLML2244TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-20 VVGS Max 12 VG 1RDS(on) max 54 m 3 D(@VGS = -4.5V)RDS(on) max 2S95 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -2.5V)IRLML2244TRPbFApplication(s) System/Load SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 54m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatib
irlml2244trpbf.pdf
Product specificationIRLML2244TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-20 VVGS Max 12 VG 1RDS(on) max 54 m 3 D(@VGS = -4.5V)RDS(on) max 2S95 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -2.5V)IRLML2244TRPbFApplication(s) System/Load SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 54m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilit
irlml2244trpbf.pdf
IRLML2244TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918