2N6794SM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6794SM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220SM

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N6794SM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6794SM даташит

 8.1. Size:230K  international rectifier
 2n6794u.pdf pdf_icon

2N6794SM

PD - 93986A IRFE420 JANTX2N6794U REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6794U HEXFET TRANSISTORS REF MIL-PRF-19500/555 SURFACE MOUNT (LCC-18) 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE420 500V 3.0 1.4A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface Features mount technology.

 8.2. Size:128K  international rectifier
 2n6794 irff420.pdf pdf_icon

2N6794SM

PD - 90429C IRFF420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6794 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF420 500V 3.0 1.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

 8.3. Size:23K  semelab
 2n6794.pdf pdf_icon

2N6794SM

2N6794 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET BVDSS 500V ID(cont) 1.5 RDS(on) 3.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6792SM, 2N6793, 2N6793LCC4, 2N6793-SM, 2N6794, 2N6794JANT, 2N6794JANTX, 2N6794JANTXV, IRLB4132, 2N6795, 2N6795-SM, 2N6796, 2N6796JANTX, 2N6796JANTXV, 2N6796SM, 2N6797, 2N6797LCC4