Справочник MOSFET. 2N6794SM

 

2N6794SM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6794SM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220SM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6794SM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:230K  international rectifier
2n6794u.pdfpdf_icon

2N6794SM

PD - 93986AIRFE420JANTX2N6794UREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDJANTXV2N6794UHEXFETTRANSISTORSREF:MIL-PRF-19500/555SURFACE MOUNT (LCC-18)500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE420 500V 3.0 1.4ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfaceFeatures:mount technology.

 8.2. Size:128K  international rectifier
2n6794 irff420.pdfpdf_icon

2N6794SM

PD - 90429CIRFF420REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6794THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF420 500V 3.0 1.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

 8.3. Size:23K  semelab
2n6794.pdfpdf_icon

2N6794SM

2N6794SEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL POWER MOSFET BVDSS 500V ID(cont) 1.5 RDS(on) 3.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED

Другие MOSFET... 2N6792SM , 2N6793 , 2N6793LCC4 , 2N6793-SM , 2N6794 , 2N6794JANT , 2N6794JANTX , 2N6794JANTXV , AON7410 , 2N6795 , 2N6795-SM , 2N6796 , 2N6796JANTX , 2N6796JANTXV , 2N6796SM , 2N6797 , 2N6797LCC4 .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.