Справочник MOSFET. IRFI4024H-117P

 

IRFI4024H-117P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI4024H-117P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP-5PIN
 

 Аналог (замена) для IRFI4024H-117P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI4024H-117P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  1
 irfi4024h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4024H-117P

PD - 97254DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4024H-117PKey Parameters gFeaturesVDS55 V Integrated half-bridge packageRDS(ON) typ. @ 10V m:48 Reduces the part count by halfQg typ.8.9 nC Facilitates better PCB layoutQsw typ.4.3 nC Key parameters optimized for Class-DRG(int) typ. 2.3 audio amplifier applicationsTJ max150 C Low RDS(ON) for improved

 7.1. Size:200K  1
 irfi4020h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4024H-117P

PD - 97252DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4020H-117PFeatures Key Parameters Integrated half-bridge package VDS200 VRDS(ON) typ. @ 10V m Reduces the part count by half 80Qg typ. Facilitates better PCB layout 19 nCQsw typ. Key parameters optimized for Class-D 6.8 nCaudio amplifier applications RG(int) typ. 3.0 Low RDS(ON) for improved efficiency TJ max150 C

 7.2. Size:200K  international rectifier
 irfi4020h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4024H-117P

PD - 97252DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4020H-117PFeatures Key Parameters Integrated half-bridge package VDS200 VRDS(ON) typ. @ 10V m Reduces the part count by half 80Qg typ. Facilitates better PCB layout 19 nCQsw typ. Key parameters optimized for Class-D 6.8 nCaudio amplifier applications RG(int) typ. 3.0 Low RDS(ON) for improved efficiency TJ max150 C

 8.1. Size:290K  1
 irfi4019h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4024H-117P

PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL6372 , IRF9910 , IRF7311 , IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , STP75NF75 , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF8513 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7103Q .

 

 
Back to Top

 


 
.