IRFHS9351 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFHS9351
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: PQFN2X2
IRFHS9351 Datasheet (PDF)
irfhs9351pbf.pdf
PD - 97572BIRFHS9351PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 V TOP VIEWVGS max 20 VD1RDS(on) max S1 1 6 D1G2170 m(@VGS = -10V) S2 D1D1D2FET1G1 25 G2ID -3.4 AS1(@TC = 25C)G1D2D2 3 4 S2D2FET22mm x 2mm Dual PQFNApplicationsl Charge and Discharge Switch for Battery Applicationl System/load switchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow
irfhs9351pbf.pdf
IRFHS9351PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 V TOP VIEWVGS max 20 VD1RDS(on) max S1 1 6 D1G2170 m(@VGS = -10V) S2 D1D1D2FET1G1 25 G2ID -3.4 AS1(@TC = 25C)G1D2D2 3 4 S2D2FET22mm x 2mm Dual PQFNApplicationsl Charge and Discharge Switch for Battery Applicationl System/load switchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 17
irfhs9301pbf.pdf
PD - 97581AIRFHS9301PbFHEXFET Power MOSFETVDS TOP VIEW-30 VVGS max 20 VDRDS(on) max D 1 6 DD37 mGD(@VGS = -10V)D 2D 5 DQg (typical)13 nCDDSSID SG 3 4 S-8.5 A2mm x 2mm PQFN(@TC = 25C)Applicationsl Charge and Discharge Switch for Battery Applicationl System/load switchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 37m
irfhs8342pbf.pdf
PD - 97596BIRFHS8342PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 V TOP VIEWVGS max20 VDD 1 6 DRDS(on) max D16.0 mGD(@VGS = 10V)D 2D 5 DQg(typical) D4.2 nCD(@VGS = 4.5V)SSG 3 4 S SID 2mm x 2mm PQFN8.5 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for Buck Converters System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting Benefits
irfhs8242pbf.pdf
PD - 96337AIRFHS8242PbFHEXFET Power MOSFETVDS25 VTOP VIEWVGS max20 VDRDS(on) max D 1 6 DD13.0 mG(@VGS = 10V)DD 2 D 5 DQg (typical) 4.3 nCDSG 3 4 SD( @ VGS = 4.5V) SSID 2mm x 2mm PQFN8.5 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsLow RDSon ( 13.0m) Lower Condu
irfhs8242pbf.pdf
IRFHS8242PbFHEXFET Power MOSFETVDS25 VTOP VIEWVGS max20 VDRDS(on) max D 1 6 DD13.0 mG(@VGS = 10V)DD 2 D 5 DQg (typical) 4.3 nCDSG 3 4 SD( @ VGS = 4.5V) SSID 2mm x 2mm PQFN8.5 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsLow RDSon ( 13.0m) Lower Conduction LossesL
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: MMN55N03
History: MMN55N03
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918