IRF7389. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7389
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7389
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7389 даташит
irf7389pbf.pdf
PD - 95462 IRF7389PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Complimentary Half Bridge 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 l Lead-Free P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
irf7389.pdf
PD - 91645 IRF7389 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Complimentary Half Bridge 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V Surface Mount 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utiliz
irf7389pbf-1.pdf
IRF7389PbF-1 HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET VDS 30 -30 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 2 7 G1 D1 0.029 0.058 (@V = 10V) GS 3 6 S2 D2 Qg (typical) 22 23 nC 4 5 G2 D2 ID 7.3 -5.3 A P-CHANNEL MOSFET SO-8 (@T = 25 C) A Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Tech
irf7380qpbf.pdf
PD - 96132B IRF7380QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l N Channel MOSFET 73m @VGS = 10V l Surface Mount 80V 2.2A l Available in Tape & Reel l 150 C Operating Temperature l Lead-Free 1 8 S1 D1 2 7 Description G1 D1 Additional features of These HEXFET Power 3 6 S2 D2 MOSFET's are a 150 C junction operating 4
Другие MOSFET... IRF7316 , IRF7328 , IRF7754G , IRF7509 , IRF7309 , IRF7105 , IRF7307 , IRF7105Q , IRF9640 , IRF7343I , IRF7343Q , IRF7309I , IRF7379I , IRF7319 , IRF7317 , IRF7379Q , IRF7309Q .
History: AP4800BGM-HF | 2SK922 | SUD50P06-15L-GE3
History: AP4800BGM-HF | 2SK922 | SUD50P06-15L-GE3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet






