AUIRF7341Q - описание и поиск аналогов

 

AUIRF7341Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRF7341Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AUIRF7341Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF7341Q даташит

 ..1. Size:403K  1
auirf7341q.pdfpdf_icon

AUIRF7341Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7 G1 D1 RDS(on) typ. 0.043 3 6 Ultra Low On-Resistance S2 D2 4 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D2 0.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175 C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

 ..2. Size:421K  infineon
auirf7341q.pdfpdf_icon

AUIRF7341Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7 G1 D1 RDS(on) typ. 0.043 3 6 Ultra Low On-Resistance S2 D2 4 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D2 0.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175 C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

 6.1. Size:225K  1
auirf7343q.pdfpdf_icon

AUIRF7341Q

PD - 96343B AUTOMOTIVE MOSFET AUIRF7343Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology N-Ch P-Ch N-CHANNEL MOSFET 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET V(BR)DSS 55V -55V 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 RDS(on) typ. 0.043 0.095 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualif

 6.2. Size:172K  1
auirf7342q.pdfpdf_icon

AUIRF7341Q

PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom

Другие MOSFET... IRF9952Q , AUIRF7319Q , AUIRF7316Q , AUIRF7342Q , AUIRF7303Q , AUIRF7103Q , AUIRF7304Q , AUIRF7379Q , IRFP460 , AUIRF7309Q , AUIRF7343Q , AUIRF9952Q , 2SJ168 , 2SJ305 , 2SJ343 , 2SJ344 , 2SJ345 .

History: 2SK1696 | AP4951GM | NCE30H12K | SM4026NSUC | SP8M3-TB | SN6F22NSU | WMJ28N65F2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.