Справочник MOSFET. AUIRF9952Q

 

AUIRF9952Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF9952Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AUIRF9952Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF9952Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  1
auirf9952q.pdfpdf_icon

AUIRF9952Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF9952Q Features N-CHANNEL MOSFET Advanced Planar Technology N-CH P-CH1 8S1 D1 Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive VDSS 30V -30V3 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET 45G2 D2RDS(on) max. 0.10 0.25 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150C Operating Temperature Top ViewID 3.5A -2.3A

 8.1. Size:823K  international rectifier
auirf9540n.pdfpdf_icon

AUIRF9952Q

PD - 97626AUTOMOTIVE GRADEAUIRF9540NFeaturesl Advanced Planar TechnologyDl Dynamic dV/dT RatingV(BR)DSS-100Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) max.0.117Gl Fully Avalanche Ratedl Repetitive Avalanche AllowedID-23ASup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified*DDescriptionSSpecifically designed for Automotive ap

 8.2. Size:241K  international rectifier
auirf9z34n.pdfpdf_icon

AUIRF9952Q

PD - 97627AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF9Z34NFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl P-Channel MOSFETDV(BR)DSS-55Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.10l Fast Switching Gl Fully Avalanche RatedIDS -19Al Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified*DDescriptionS

 9.1. Size:403K  1
auirf7341q.pdfpdf_icon

AUIRF9952Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) typ. 0.0433 6 Ultra Low On-Resistance S2 D24 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D20.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

Другие MOSFET... AUIRF7342Q , AUIRF7303Q , AUIRF7103Q , AUIRF7304Q , AUIRF7379Q , AUIRF7341Q , AUIRF7309Q , AUIRF7343Q , IRF1404 , 2SJ168 , 2SJ305 , 2SJ343 , 2SJ344 , 2SJ345 , 2SJ346 , 2SJ347 , 2SJ360 .

History: AP3N4R5M | NTMFS6H801N | TPC8047-H | CS6N70CRHD | IPI100N10S3-05 | STD11NM50N | HCD70R910

 

 
Back to Top

 


 
.