2SJ668 - описание и поиск аналогов

 

2SJ668. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ668

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: NEW PWMOLD

Аналог (замена) для 2SJ668

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ668 даташит

 ..1. Size:204K  toshiba
 2sj668.pdf pdf_icon

2SJ668

2SJ668 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSIII) 2SJ668 Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.12 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = -100 A (max) (VDS = -60 V) Enhancement mode Vth = -0.8 t

 9.1. Size:209K  toshiba
 2sj669.pdf pdf_icon

2SJ668

2SJ669 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS III) 2SJ669 Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4-V gate drive Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.12 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = -100 A (max) (VDS = -60 V) Enhancement mode Vth = -0.8

 9.2. Size:38K  sanyo
 2sj665.pdf pdf_icon

2SJ668

Ordering number EN8590 2SJ665 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SJ665 Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Motor drive, DC / DC converter. Avalanche resistance guarantee. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --

 9.3. Size:38K  sanyo
 2sj661.pdf pdf_icon

2SJ668

Ordering number EN8586 2SJ661 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SJ661 Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Motor drive, DC / DC converter. Avalanche resistance guarantee. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ346 , 2SJ347 , 2SJ360 , 2SJ465 , 2SJ511 , 2SJ537 , 2SJ567 , 2SJ610 , 7N65 , 2SJ680 , 2SJ681 , 2SK1062 , 2SK1359 , 2SK1365 , 2SK1489 , 2SK1826 , 2SK1827 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.