SSM3J01F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM3J01F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM3J01F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J01F даташит

 ..1. Size:312K  toshiba
 ssm3j01f.pdf pdf_icon

SSM3J01F

SSM3J01F TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J01F High Speed Switching Applications Unit mm Small package Low on resistance Ron = 0.4 (max) (VGS = -4 V) Ron = 0.6 (max) (VGS = -2.5 V) Low gate threshold voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS -30 V Gate-so

 7.1. Size:207K  toshiba
 ssm3j01t.pdf pdf_icon

SSM3J01F

SSM3J01T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J01T Power Management Switch Unit mm High Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance Ron = 0.4 (max) (@VGS = -4 V) Ron = 0.6 (max) (@VGS = -2.5 V) Low Gate Threshold Voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source

 8.1. Size:319K  toshiba
 ssm3j02f.pdf pdf_icon

SSM3J01F

SSM3J02F TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02F Power Management Switch Unit mm High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Ron = 0.5 (max) (@VGS = -4 V) Ron = 0.7 (max) (@VGS = -2.5 V) Low gate threshold voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source

 8.2. Size:184K  toshiba
 ssm3j02t.pdf pdf_icon

SSM3J01F

SSM3J02T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02T Power Management Switch Unit mm High Speed Switching Applications Component package suitable for high-density mounting Small Package Low ON Resistance Ron = 0.5 (max) (@VGS = -4 V) Ron = 0.7 (max) (@VGS = -2.5 V) Low-voltage operation possible Absolute Maximum Ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HN1K02FU, HN1K03FU, HN1K04FU, HN1K05FU, HN1K06FU, HN1L02FU, HN1L03FU, HN4K03JU, AON6414A, SSM3J01T, SSM3J02F, SSM3J02T, SSM3J05FU, SSM3J09FU, SSM3J108TU, SSM3J109TU, SSM3J110TU