Справочник MOSFET. SSM3J135TU

 

SSM3J135TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3J135TU
   Маркировка: JJN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.103 Ohm
   Тип корпуса: UFM
 

 Аналог (замена) для SSM3J135TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J135TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  toshiba
 ssm3j135tu.pdf pdf_icon

SSM3J135TU

SSM3J135TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J135TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit: mm Low ON-resistance:RDS(ON) = 260 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 180 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 132 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 103 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.1. Size:202K  toshiba
 ssm3j134tu.pdf pdf_icon

SSM3J135TU

SSM3J134TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J134TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit: mm Low ON-resistance: RDS(ON) = 240 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 93 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:208K  toshiba
 ssm3j132tu.pdf pdf_icon

SSM3J135TU

SSM3J132TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J132TU Power Management Switch Applications 1.2-V driveUnit: mm Low ON-resistance: RDS(ON) = 94 m (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 39 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 29 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 21 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 17 m (max) (@VGS = -4.5

 7.3. Size:186K  toshiba
 ssm3j130tu.pdf pdf_icon

SSM3J135TU

SSM3J130TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J130TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit: mm Low ON-resistance:RDS(ON) = 63.2 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.10.1RDS(ON) = 31.0 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1.70.1RDS(ON) = 25.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM3J117TU , SSM3J118TU , SSM3J120TU , SSM3J129TU , SSM3J130TU , SSM3J132TU , SSM3J133TU , SSM3J134TU , 2SK3568 , SSM3J13T , SSM3J14T , SSM3J15CT , SSM3J15FS , SSM3J15FU , SSM3J15FV , SSM3J15F , SSM3J16CT .

History: FDC6333C | 2N6788JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.