Справочник MOSFET. SSM3J13T

 

SSM3J13T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3J13T
   Маркировка: KDH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 288 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TSM
 

 Аналог (замена) для SSM3J13T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J13T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  toshiba
 ssm3j13t.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J13T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J13T Power Management Switch Unit: mmHigh Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance: Ron = 70 m (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 95 m (max) (@VGS = -2.5 V) Low Gate Threshold Voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDr

 7.1. Size:202K  toshiba
 ssm3j134tu.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J134TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J134TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit: mm Low ON-resistance: RDS(ON) = 240 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 93 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:208K  toshiba
 ssm3j132tu.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J132TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J132TU Power Management Switch Applications 1.2-V driveUnit: mm Low ON-resistance: RDS(ON) = 94 m (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 39 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 29 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 21 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 17 m (max) (@VGS = -4.5

 7.3. Size:186K  toshiba
 ssm3j130tu.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J130TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J130TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit: mm Low ON-resistance:RDS(ON) = 63.2 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.10.1RDS(ON) = 31.0 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1.70.1RDS(ON) = 25.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BUZ80 | FDT439N

 

 
Back to Top

 


 
.