SSM3J13T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3J13T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 288 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TSM

Аналог (замена) для SSM3J13T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J13T даташит

 ..1. Size:199K  toshiba
 ssm3j13t.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J13T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J13T Power Management Switch Unit mm High Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance Ron = 70 m (max) (@VGS = -4 V) Ron = 95 m (max) (@VGS = -2.5 V) Low Gate Threshold Voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Dr

 7.1. Size:202K  toshiba
 ssm3j134tu.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J134TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J134TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 240 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 93 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:208K  toshiba
 ssm3j132tu.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J132TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J132TU Power Management Switch Applications 1.2-V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 94 m (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 39 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 29 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 21 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 17 m (max) (@VGS = -4.5

 7.3. Size:186K  toshiba
 ssm3j130tu.pdf pdf_icon

SSM3J13T

SSM3J130TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J130TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 63.2 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.1 0.1 RDS(ON) = 31.0 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1.7 0.1 RDS(ON) = 25.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1 Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J118TU, SSM3J120TU, SSM3J129TU, SSM3J130TU, SSM3J132TU, SSM3J133TU, SSM3J134TU, SSM3J135TU, SPP20N60C3, SSM3J14T, SSM3J15CT, SSM3J15FS, SSM3J15FU, SSM3J15FV, SSM3J15F, SSM3J16CT, SSM3J16FS