Справочник MOSFET. SSM3J16CT

 

SSM3J16CT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM3J16CT
   Маркировка: S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT883 CST3

 Аналог (замена) для SSM3J16CT

 

 

SSM3J16CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  toshiba
 ssm3j16ct.pdf

SSM3J16CT SSM3J16CT

SSM3J16CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16CT High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm0.60.05 Small package 0.50.03 Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.1. Size:180K  toshiba
 ssm3j16fv.pdf

SSM3J16CT SSM3J16CT

SSM3J16FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Small package Unit: mm Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 0.80.05

 7.2. Size:222K  toshiba
 ssm3j16fu.pdf

SSM3J16CT SSM3J16CT

SSM3J16FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

 7.3. Size:185K  toshiba
 ssm3j16fs.pdf

SSM3J16CT SSM3J16CT

SSM3J16FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16FS High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

 7.4. Size:180K  toshiba
 ssm3j16te.pdf

SSM3J16CT SSM3J16CT

SSM3J16TE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J16TE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : Ron = 8 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : Ron = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-So

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top