Справочник MOSFET. SSM3J305T

 

SSM3J305T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM3J305T
   Маркировка: JJA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.3 nC
   Выходная емкость (Cd): 39 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.237 Ohm
   Тип корпуса: TSM

 Аналог (замена) для SSM3J305T

 

 

SSM3J305T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  toshiba
ssm3j305t.pdf

SSM3J305T
SSM3J305T

SSM3J305T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J305T High-Speed Switching Applications Unit: mm 4 V drive Low ON-resistance: Ron = 477 m (max) (@VGS = -4 V) Ron = 237 m (max) (@VGS = -10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrainsource voltage VDS -30 VGatesource voltage VGSS 20 VDC ID

 7.1. Size:173K  toshiba
ssm3j306t.pdf

SSM3J305T
SSM3J305T

SSM3J306T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J306T Power management switch Applications 4 V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 225 m (max) (@VGS = -4 V) Ron = 117 m (max) (@VGS = -10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrainsource voltage VDS -30 VGatesource voltage VGSS 20 VDC

 7.2. Size:207K  toshiba
ssm3j307t.pdf

SSM3J305T
SSM3J305T

SSM3J307T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSV) SSM3J307T Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm+0.2 1.5 V drive 2.8-0.3 Low ON-resistance: Ron = 83 m (max) (@VGS = -1.5 V) +0.21.6-0.1Ron = 56 m (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 40 m (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 31 m (max) (@VGS = -4.

 7.3. Size:243K  toshiba
ssm3j304t.pdf

SSM3J305T
SSM3J305T

SSM3J304T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J304T Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm 1.8-V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 297 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 168 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 127 m (max) (@VGS = -4.0 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Character

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top