Справочник MOSFET. SSM3J321T

 

SSM3J321T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM3J321T
   Маркировка: KFA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.1 nC
   Выходная емкость (Cd): 140 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TSM

 Аналог (замена) для SSM3J321T

 

 

SSM3J321T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  toshiba
ssm3j321t.pdf

SSM3J321T SSM3J321T

SSM3J321T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) SSM3J321T Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications 1.5V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 137m (max) (@VGS = -1.5 V) +0.2Ron = 88m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.8-0.3Ron = 62m (max) (@VGS = -2.5 V) +0.21.6-0.1Ron = 46m (max) (@VGS = -4.5

 7.1. Size:254K  toshiba
ssm3j325f.pdf

SSM3J321T SSM3J321T

SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit: mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3+0.25 Low ON-resistance: R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)

 7.2. Size:209K  toshiba
ssm3j328r..pdf

SSM3J321T SSM3J321T

 7.3. Size:206K  toshiba
ssm3j327r..pdf

SSM3J321T SSM3J321T

 7.4. Size:185K  toshiba
ssm3j327f..pdf

SSM3J321T SSM3J321T

 7.5. Size:206K  toshiba
ssm3j326t..pdf

SSM3J321T SSM3J321T

 7.6. Size:229K  toshiba
ssm3j328r.pdf

SSM3J321T SSM3J321T

SSM3J328R TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J328R Power Management Switch Applications Unit: mm+0.08 1.5-V drive0.42+0.08-0.050.170.05M A -0.07 Low ON-resistance: RDS(ON) = 88.4m (max) (@VGS = -1.5 V) 3RDS(ON) = 56.0m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 39.7m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8m (max) (@V

 7.7. Size:187K  toshiba
ssm3j325f..pdf

SSM3J321T SSM3J321T

 7.8. Size:910K  cn vbsemi
ssm3j327r.pdf

SSM3J321T SSM3J321T

SSM3J327Rwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CPH3341

 

 
Back to Top