SSM3J321T - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SSM3J321T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3J321T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TSM

Аналог (замена) для SSM3J321T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SSM3J321T даташит

..1. Size:207K toshiba
ssm3j321t.pdf pdf_icon

SSM3J321T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) SSM3J321T Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications 1.5V drive Unit mm Low ON-resistance Ron = 137m (max) (@VGS = -1.5 V) +0.2 Ron = 88m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.8-0.3 Ron = 62m (max) (@VGS = -2.5 V) +0.2 1.6-0.1 Ron = 46m (max) (@VGS = -4.5

7.1. Size:254K toshiba
ssm3j325f.pdf pdf_icon

SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3 +0.25 Low ON-resistance R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS 1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS 1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)

7.2. Size:209K toshiba
ssm3j328r..pdf pdf_icon