Справочник MOSFET. SSM3J327F

 

SSM3J327F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3J327F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI
 

 Аналог (замена) для SSM3J327F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J327F Datasheet (PDF)

 0.1. Size:185K  toshiba
 ssm3j327f..pdf pdf_icon

SSM3J327F

 6.1. Size:206K  toshiba
 ssm3j327r..pdf pdf_icon

SSM3J327F

 6.2. Size:910K  cn vbsemi
 ssm3j327r.pdf pdf_icon

SSM3J327F

SSM3J327Rwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM3J307T , SSM3J312T , SSM3J313T , SSM3J314T , SSM3J317T , SSM3J321T , SSM3J325F , SSM3J326T , 5N65 , SSM3J327R , SSM3J328R , SSM3J332R , SSM3J334R , SSM3J35CT , SSM3J35FS , SSM3J35MFV , SSM3J36FS .

History: SI4196DY | PJP4NA90 | JBL102T

 

 
Back to Top

 


 
.