SSM3J327F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSM3J327F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI
Аналог (замена) для SSM3J327F
SSM3J327F Datasheet (PDF)
ssm3j327r.pdf

SSM3J327Rwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO
Другие MOSFET... SSM3J307T , SSM3J312T , SSM3J313T , SSM3J314T , SSM3J317T , SSM3J321T , SSM3J325F , SSM3J326T , AO3401 , SSM3J327R , SSM3J328R , SSM3J332R , SSM3J334R , SSM3J35CT , SSM3J35FS , SSM3J35MFV , SSM3J36FS .
History: RSD100N10 | DMN3024LSS | LSGE085R065W3 | 2SK2939 | SI4196DY | KQB2N30 | AOD514
History: RSD100N10 | DMN3024LSS | LSGE085R065W3 | 2SK2939 | SI4196DY | KQB2N30 | AOD514



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965