Справочник MOSFET. SSM3J327F

 

SSM3J327F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3J327F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J327F Datasheet (PDF)

 0.1. Size:185K  toshiba
 ssm3j327f..pdf pdf_icon

SSM3J327F

 6.1. Size:206K  toshiba
 ssm3j327r..pdf pdf_icon

SSM3J327F

 6.2. Size:910K  cn vbsemi
 ssm3j327r.pdf pdf_icon

SSM3J327F

SSM3J327Rwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: PSMN1R7-60BS | BUZ63 | SQJA00EP | 2SK2889B | IRFI624GPBF | VBMB1606 | STW75NF20

 

 
Back to Top

 


 
.