SSM3J328R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3J328R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0298 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SSM3J328R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J328R даташит

 ..1. Size:229K  toshiba
 ssm3j328r.pdf pdf_icon

SSM3J328R

SSM3J328R TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J328R Power Management Switch Applications Unit mm +0.08 1.5-V drive 0.42 +0.08 -0.05 0.17 0.05 M A -0.07 Low ON-resistance RDS(ON) = 88.4m (max) (@VGS = -1.5 V) 3 RDS(ON) = 56.0m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 39.7m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8m (max) (@V

 0.1. Size:209K  toshiba
 ssm3j328r..pdf pdf_icon

SSM3J328R

 7.1. Size:254K  toshiba
 ssm3j325f.pdf pdf_icon

SSM3J328R

SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3 +0.25 Low ON-resistance R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS 1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS 1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)

 7.2. Size:206K  toshiba
 ssm3j327r..pdf pdf_icon

SSM3J328R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J313T, SSM3J314T, SSM3J317T, SSM3J321T, SSM3J325F, SSM3J326T, SSM3J327F, SSM3J327R, 5N60, SSM3J332R, SSM3J334R, SSM3J35CT, SSM3J35FS, SSM3J35MFV, SSM3J36FS, SSM3J36MFV, SSM3J36TU