Справочник MOSFET. SSM3J36TU

 

SSM3J36TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM3J36TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.31 Ohm
   Тип корпуса: UFM

 Аналог (замена) для SSM3J36TU

 

 

SSM3J36TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  toshiba
 ssm3j36tu.pdf

SSM3J36TU SSM3J36TU

SSM3J36TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36TU Power Management Switches 1.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 2.10.1: Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) 1.70.1: Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 132

 7.1. Size:184K  toshiba
 ssm3j36fs.pdf

SSM3J36TU SSM3J36TU

SSM3J36FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36FS Power Management Switches 1.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) : Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating

 7.2. Size:161K  toshiba
 ssm3j36mfv.pdf

SSM3J36TU SSM3J36TU

SSM3J36MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36MFV Power Management Switches 1.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.20.05 : Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) : Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) 0.80.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 Ch

 7.3. Size:784K  cn vbsemi
 ssm3j36fs.pdf

SSM3J36TU SSM3J36TU

SSM3J36FSwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) (nC) 100 % R tested0.450 at VGS = -4.5 V -0.55 Fast switching speed-20 0.500 at VGS = -2.5 V -0.50 10.600 at VGS = -1.8 V -0.38APPLICATIONS Load / power switch for portabledevicesS Drivers: relays, solenoids, display

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top