SSM3K01F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3K01F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI

Аналог (замена) для SSM3K01F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K01F даташит

 ..1. Size:305K  toshiba
 ssm3k01f.pdf pdf_icon

SSM3K01F

SSM3K01F TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K01F High Speed Switching Applications Unit mm Small package Low on resistance Ron = 120 m (max) (VGS = 4 V) Ron = 150 m (max) (VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage Vth = 0.6 1.1 V (VDS = 3 V, ID = 0.1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Uni

 7.1. Size:188K  toshiba
 ssm3k01t.pdf pdf_icon

SSM3K01F

SSM3K01T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K01T High Speed Switching Applications Unit mm Small Package Low on Resistance Ron = 120 m (max) (@VGS = 4 V) Ron = 150 m (max) (@VGS = 2.5 V) Low Gate Threshold Voltage Vth = 0.6 1.1 V (@VDS = 3 V, ID = 0.1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating

 8.1. Size:312K  toshiba
 ssm3k05fu.pdf pdf_icon

SSM3K01F

SSM3K05FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K05FU High Speed Switching Applications Small package Unit mm Low on resistance Ron = 0.8 max (@VGS = 4 V) Ron = 1.2 max (@VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS 20 V Gate-source

 8.2. Size:210K  toshiba
 ssm3k09fu.pdf pdf_icon

SSM3K01F

SSM3K09FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU High Speed Switching Applications Unit mm Small package Low on resistance Ron = 0.7 (max) (@VGS = 10 V) Ron = 1.2 (max) (@VGS = 4 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 30 V Gate-Source voltage VGSS 20 V DC ID

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J35CT, SSM3J35FS, SSM3J35MFV, SSM3J36FS, SSM3J36MFV, SSM3J36TU, SSM3J46CTB, SSM3J56MFV, 8N60, SSM3K01T, SSM3K02F, SSM3K02T, SSM3K05FU, SSM3K09FU, SSM3K101TU, SSM3K102TU, SSM3K104TU