Справочник MOSFET. SSM3K15AMFV

 

SSM3K15AMFV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3K15AMFV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT723 VESM
 

 Аналог (замена) для SSM3K15AMFV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K15AMFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  toshiba
ssm3k15amfv.pdfpdf_icon

SSM3K15AMFV

SSM3K15AMFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AMFV Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1.20.050.80.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1Characteristics Symbol Rating Unit3Drain-Source voltage VDSS 30 V

 6.1. Size:231K  toshiba
ssm3k15act.pdfpdf_icon

SSM3K15AMFV

SSM3K15ACT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15ACT Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30 VGate-Source voltage VGSS 2

 6.2. Size:227K  toshiba
ssm3k15afs.pdfpdf_icon

SSM3K15AMFV

SSM3K15AFS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AFS Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30 VGate-Source voltage VGSS 2

 6.3. Size:229K  toshiba
ssm3k15afu.pdfpdf_icon

SSM3K15AMFV

SSM3K15AFU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AFU Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30 VGate-Source voltage VGSS 2

Другие MOSFET... SSM3K127TU , SSM3K128TU , SSM3K12T , SSM3K131TU , SSM3K14T , SSM3K15ACT , SSM3K15AFS , SSM3K15AFU , IRF740 , SSM3K15CT , SSM3K15FS , SSM3K15FU , SSM3K15FV , SSM3K15F , SSM3K16CT , SSM3K16FS , SSM3K16FU .

History: ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D | PK5G6EA

 

 
Back to Top

 


 
.