SSM3K315T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3K315T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0276 Ohm

Тип корпуса: TSM

Аналог (замена) для SSM3K315T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K315T даташит

 ..1. Size:206K  toshiba
 ssm3k315t.pdf pdf_icon

SSM3K315T

SSM3K315T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3K315T High-Speed Switching Applications Unit mm 4.5-V drive +0.2 Low ON-resistance Ron = 41.5 m (max) (@VGS = 4.5 V) 2.8-0.3 Ron = 27.6 m (max) (@VGS = 10 V) +0.2 1.6-0.1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Source

 7.1. Size:188K  toshiba
 ssm3k310t.pdf pdf_icon

SSM3K315T

SSM3K310T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K310T High-Speed Switching Applications 1.5 V drive Unit mm Low ON-resistance Ron = 66 m (max) (@VGS = 1.5 V) +0.2 2.8-0.3 Ron = 43 m (max) (@VGS = 1.8 V) +0.2 Ron = 32 m (max) (@VGS = 2.5 V) 1.6-0.1 Ron = 28 m (max) (@VGS = 4.0 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 7.2. Size:212K  toshiba
 ssm3k318t.pdf pdf_icon

SSM3K315T

SSM3K318T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3K318T Load Switching Applications High-Speed Switching Applications Unit mm +0.2 4.5 V drive 2.8-0.3 Low ON-resistance RDS(ON) = 145 m (max) (@VGS = 4.5 V) +0.2 1.6-0.1 RDS(ON) = 107 m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Sy

 7.3. Size:226K  toshiba
 ssm3k318r.pdf pdf_icon

SSM3K315T

SSM3K318R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K318R SSM3K318R SSM3K318R SSM3K318R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Load Switches Ultra-High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 4.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 145 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 107 m (max) (@VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3K16FU, SSM3K16FV, SSM3K17FU, SSM3K301T, SSM3K302T, SSM3K303T, SSM3K309T, SSM3K310T, IRF3710, SSM3K316T, SSM3K318T, SSM3K320T, SSM3K329R, SSM3K333R, SSM3K35CT, SSM3K35FS, SSM3K35MFV