SSM3K333R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSM3K333R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SSM3K333R
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSM3K333R даташит
ssm3k333r.pdf
SSM3K333R TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS VII-H) SSM3K333R Power Management Switch Applications Unit mm High-Speed Switching Applications +0.08 0.42 +0.08 -0.05 0.17 0.05 M A -0.07 3 4.5V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 42 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 28 m (max) (@VGS = 10 V) 1 2 0.95 0.95 Absolute Maxi
ssm3k333r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD SSM3K333R Preliminary Power MOSFET 6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC SSM3K333R is an N-channel power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance and superior switching performance. The UTC SSM3K333R is usually used in power management switching applications. FEATURES * R
ssm3k333r.pdf
SSM3K333R www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)
ssm3k336r.pdf
SSM3K336R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 4.5 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 95 m (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 140 m (max) (@VG
Другие IGBT... SSM3K303T, SSM3K309T, SSM3K310T, SSM3K315T, SSM3K316T, SSM3K318T, SSM3K320T, SSM3K329R, P55NF06, SSM3K35CT, SSM3K35FS, SSM3K35MFV, SSM3K36FS, SSM3K36MFV, SSM3K36TU, SSM3K37CT, SSM3K37FS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321








