SSM5P05FU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM5P05FU
Маркировка: DH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
Тип корпуса: SOT353 SC88A USV
SSM5P05FU Datasheet (PDF)
ssm5p05fu.pdf
SSM5P05FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM5P05FU Power Management Switch Unit: mmHigh Speed Switching Applications Small package Low on resistance : Ron = 3.3 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 4.0 (max) (@VGS = -2.5 V) Low gate threshold voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Ratin
ssm5p15fu.pdf
SSM5P15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM5P15FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low ON resistance : Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -3
ssm5p15fe.pdf
SSM5P15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM5P15FE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low ON resistance : Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -3
ssm5p16fe.pdf
SSM5P16FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM5P16FE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Small package Unit: mm Low on-resistance : R 8 (max) (@VGS 4 V) DS(ON): R 12 (max) (@VGS 2.5 V) DS(ON): R 45 (max) (@VGS 1.5 V) DS(ON)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
ssm5p16fu.pdf
SSM5P16FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM5P16FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Char
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918