SSM6J214FE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM6J214FE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT563 ES6

Аналог (замена) для SSM6J214FE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J214FE даташит

 ..1. Size:207K  toshiba
 ssm6j214fe.pdf pdf_icon

SSM6J214FE

SSM6J214FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J214FE Power Management Switch Applications Unit mm 1.8 V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 149.6 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 77.6 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 57.0 m (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 50.0 m (max) (@VGS = -10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta

 7.1. Size:202K  toshiba
 ssm6j213fe.pdf pdf_icon

SSM6J214FE

SSM6J213FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J213FE Power Management Switch Applications Unit mm 1.5-V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 250 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 178 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 133 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 103 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:226K  toshiba
 ssm6j215fe.pdf pdf_icon

SSM6J214FE

SSM6J215FE MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) SSM6J215FE SSM6J215FE SSM6J215FE SSM6J215FE 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 154 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 104 m (max) (@VGS =

 7.3. Size:157K  toshiba
 ssm6j21tu.pdf pdf_icon

SSM6J214FE

SSM6J21TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J21TU High Current Switching Applications Unit mm Suitable for high-density mounting due to compact package Low on resistance Ron = 88 m (max) (@VGS = -2.5 V) Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS -12 V Gate-Source voltage VGSS 12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6J06FU, SSM6J07FU, SSM6J08FU, SSM6J205FE, SSM6J206FE, SSM6J207FE, SSM6J212FE, SSM6J213FE, IRF1407, SSM6J21TU, SSM6J23FE, SSM6J25FE, SSM6J26FE, SSM6J401TU, SSM6J402TU, SSM6J409TU, SSM6J410TU