SSM6N17FU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM6N17FU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm

Тип корпуса: SOT363 SC88 US6

Аналог (замена) для SSM6N17FU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6N17FU даташит

 ..1. Size:117K  toshiba
 ssm6n17fu.pdf pdf_icon

SSM6N17FU

SSM6N17FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N17FU High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Suitable for high-density mounting due to compact package High drain-source voltage High speed switching Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltag

 8.1. Size:153K  toshiba
 ssm6n15fu.pdf pdf_icon

SSM6N17FU

SSM6N15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N15FU High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switching Applications Small package Low ON resistance Ron = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V

 8.2. Size:133K  toshiba
 ssm6n16fu.pdf pdf_icon

SSM6N17FU

SSM6N16FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N16FU High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Suitable for high-density mounting due to compact package Low on resistance Ron = 3.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 4.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 15 (max) (@VGS = 1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 8.3. Size:184K  toshiba
 ssm6n15fe.pdf pdf_icon

SSM6N17FU

SSM6N15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N15FE High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switching Applications Small package Low ON resistance Ron = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6N05FU, SSM6N09FU, SSM6N15AFE, SSM6N15AFU, SSM6N15FE, SSM6N15FU, SSM6N16FE, SSM6N16FU, P55NF06, SSM6N24TU, SSM6N25TU, SSM6N29TU, SSM6N35FE, SSM6N35FU, SSM6N36FE, SSM6N36TU, SSM6N37CTD