SSM6P36TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6P36TU
Маркировка: PX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 10.3 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.31 Ohm
Тип корпуса: UF6
SSM6P36TU Datasheet (PDF)
ssm6p36tu.pdf
SSM6P36TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P36TU Power Management Switches 1.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) 2.10.1: Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.70.1: Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) : Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) 1 6Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2 5
ssm6p36fe.pdf
SSM6P36FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P36FE Power Management Switches 1.5-V drive Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) Unit: mmRon = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.60.05Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 6(Common t
ssm6p35fu.pdf
SSM6P35FU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM6P35FU High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications 1.2-V drive Low ON-resistance : Ron = 44 (max) (@VGS = -1.2 V) : Ron = 22 (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 11 (max) (@VGS = -2.5 V) : Ron = 8 (max) (@VGS = -4.0 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 2
ssm6p39tu.pdf
SSM6P39TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P39TU Unit: mm Power Management Switch Applications 2.10.1 High-Speed Switching Applications 1.70.11 6 1.8 V drive 2 5 P-ch 2-in-1 Low ON-resistance: Ron = 430m (max) (@VGS = 1.8 V) 3 4Ron = 294m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 213m (max) (@VGS = 4.0 V) Abso
ssm6p35fe.pdf
SSM6P35FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM6P35FE High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications 1.60.051.20.05 1.2-V drive Low ON-resistance : Ron = 44 (max) (@VGS = -1.2 V) : Ron = 22 (max) (@VGS = -1.5 V) 1 6 : Ron = 11 (max) (@VGS = -2.5 V) 25: Ron = 8 (max) (@VGS = -4.0 V) 3
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918