Справочник MOSFET. TJ30S06M3L

 

TJ30S06M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ30S06M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0218 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TJ30S06M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ30S06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  toshiba
 tj30s06m3l.pdf pdf_icon

TJ30S06M3L

TJ30S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ30S06M3LTJ30S06M3LTJ30S06M3LTJ30S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 16.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

Другие MOSFET... SSM6P54TU , TJ10S04M3L , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , CS150N03A8 , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 .

History: CSD87353Q5D | HGN028NE6A | IRFBC40SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.