Справочник MOSFET. TJ8S06M3L

 

TJ8S06M3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TJ8S06M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TJ8S06M3L

 

 

TJ8S06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tj8s06m3l.pdf

TJ8S06M3L TJ8S06M3L

TJ8S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ8S06M3LTJ8S06M3LTJ8S06M3LTJ8S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top