Справочник MOSFET. TJ8S06M3L

 

TJ8S06M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ8S06M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TJ8S06M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ8S06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tj8s06m3l.pdf pdf_icon

TJ8S06M3L

TJ8S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ8S06M3LTJ8S06M3LTJ8S06M3LTJ8S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS

Другие MOSFET... TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , IRF520 , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , TK10S04K3L , TK10X40D , TK11A45D .

History: IRF331R | SVS80R430FJDE3 | 2SK3496-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.