TJ8S06M3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ8S06M3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TJ8S06M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ8S06M3L даташит

 ..1. Size:242K  toshiba
 tj8s06m3l.pdf pdf_icon

TJ8S06M3L

TJ8S06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ8S06M3L TJ8S06M3L TJ8S06M3L TJ8S06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 80 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS

Другие IGBT... TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, TJ60S04M3L, TJ60S06M3L, TJ70A06J3, TJ80S04M3L, 75N75, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D, TK10A60D, TK10S04K3L, TK10X40D, TK11A45D